Precisie vijf-assige CNC-halfgeleidervacuümkamerspecificaties

Precisie vijf-assige CNC-halfgeleidervacuümkamerspecificaties
Details:
Diensten: 5--assig CNC-frezen en draaifrezen voor monolithische vacuümkamers en interne componenten.

Capaciteit: bewerkingsbereiken voor doosvormige, bolvormige en cilindrische kamers tot 1800 × 1500 × 800 mm.

Afwerkingen: elektrolytisch polijsten tot Ra 0,2 µm, spiegelfrezen, parelstralen, passivatie en hard anodiseren.

Specificaties: Maattoleranties tot ±0,005 mm met zeer-precieze O--ringgroeven en CF-mes-randprofielen.

Kwaliteitscontrole: lekdetectie van Pfeiffer-heliummassaspectrometrie, OES-spectrale materiaalcontroles en optische profilering.

Levertijd: levering van 15 dagen voor standaardconstructies en 30-40 dagen voor volledig verwerkte UHV-kamers.

MOQ: Minimale bestelhoeveelheid begint bij 1 eenheid voor prototyping tot volumeproductie.

Tekeningen: directe verwerking van STEP-, IGS-, X_T-, DWG- en PDF 2D/3D CAD-bestanden.

Waarde-Toevoegen: thermische stress-ontlating, ultrasoon wassen in cleanrooms en dubbel vacuüm verpakken.
Aanvraag sturen
Beschrijving
Aanvraag sturen

5-assige CNC-bewerking van halfgeleidervacuümkamer Technische specificaties

Monolithische, gefreesde vacuümbehuizingen die zijn ontworpen voor vacuümintegriteit zonder -defecten, weinig ontgassing en dimensionale stabiliteit op lange- termijn.

Kern technische kenmerken:

Heliumleksnelheid Minder dan of gelijk aan 1×10^-12 Pa·m³/s met 100% testrapporten.

Austenitisch roestvrij staal 304/316L en 6061-T6 aluminiumlegeringen.

Fabricage van ultrahoogvacuümkamers tot 10^-9 Pa.

De vlakheidstolerantie van het flensafdichtingsoppervlak wordt binnen gehouden. Minder dan of gelijk aan 0,02 mm/m.

Ontwerp van halfgeleiderlaadsluiskamer met spanningsverlichting.

15 dagen durende prototype-doorlooptijd voor technische evaluatiemodellen.

Zeiss CMM valideerde hoge precisie CNC-bewerking van halfgeleideronderdelen.

 

PVD Deposition System Vacuum Chamber

 

Monoblokfreesmogelijkheden voor halfgeleidervacuümkamers

Het elimineren van structurele lassen om helium-dichte afdichtingen en superieure mechanische integriteit in proceskamers te bereiken.

 

Xiamen Dazao Machinery produceert monoblock5-assige CNC-gefreesde halfgeleidervacuümkamersontworpen voor hoogvacuüm (HV) en ultra-hoogvacuüm (UHV) systemen. Door gebruik te maken van multi{2}}draai- en 5-assige gelijktijdige CNC-freescentra, worden massieve knuppels van roestvrij staal 304, 316L en Al6061-T6 omgezet in nauwkeurige vacuümbehuizingen zonder structurele lassen.

 

Onze productiemogelijkheden ondersteunen doos-vormige PVD-depositiekamers, plasma-etskamers, wafer-laadslotmodules en bolvormige UHV-reactievaten. Door het elimineren van interne porositeit, materiaalholten en door hitte-getroffen zonelasdefecten, kunnen onze5-assige CNC-bewerking van halfgeleidervacuümkamerproces levert stabiele afdichtingsgrenzen, doorlopende interne koelkanalen en vervormingsvrije- flensvlakken voor mondiale gereedschapsmakers.

Vacuum Chamber Housing Parts For Semiconductor Equipment

 

Analyse van veldfouten en corrigerende maatregelen

Real-technische beoordelingen van hoofdoorzaken van veldinstallaties van halfgeleiderapparatuur.

 

1: PVD-afzettingskamerflens Micro-Lekkagerectificatie

 

· Oorzaak:Een Europese klant voor dunnefilmapparatuur ondervond een uitvalpercentage van 30% tijdens heliumlektests op doos-vormige roestvrijstalen PVD-kamers die waren vervaardigd door een oudere leverancier. Uit de faalanalyse bleek dat er microscopisch kleine voedingssporen aanwezig waren en dat er een afwijking in de vlakheid van de flens was van meer dan 0,05 mm over het afdichtingsvlak.

 

· Technische actie:We introduceerden spiegelfrezen met behulp van gespecialiseerde vlak-freesgeometrie, gevolgd door nauwkeurig handmatig leppen. De vlakheid van het oppervlak werd teruggebracht tot minder dan of gelijk aan 0,02 mm/m en de ruwheid werd teruggebracht tot Ra 0,4 µm. Elknauwkeurig bewerkte roestvrijstalen componentenrun ondergaat nu 100% heliummassaspectrometertests voorafgaand aan verzending, waardoor de acceptatiegraad van de assemblage naar 100% wordt verhoogd.

 

2: Beperking van de uitgassing in bolvormige UHV-reactievaten

 

· Oorzaak:Een onderzoeksinstituut meldde dat de basisdruk bleef steken bij 10^-7 Pa in een bolvormige UHV-kamer met cf-flenzen gemaakt van standaard SS304. Hoge ontgassingssnelheden als gevolg van interne oppervlakteverontreiniging en opgesloten vocht verhinderden het wegpompen tot het vereiste niveau van 10^-9 Pa.

 

· Technische actie:We hebben de materiaalspecificatie gewijzigd in SS316L met een laag-koolstofgehalte, een vacuüm-ontgassingscyclus van 900 graden geïntegreerd en intern elektrolytisch polijsten geïmplementeerd om de oppervlakteruwheid te verlagen tot Ra van minder dan of gelijk aan 0,2 µm. Na ultrasoon wassen in de cleanroom en vacuümbakken bereikte het ultieme vacuüm een ​​interne specificatie van 10^-9 Pa.

 

3: Flens van laadsluiskamer kromtrekken onder drukcycli

 

· Oorzaak:Een fabrikant van waferapparatuur ontdekte na zes maanden gebruik een progressief vacuümverlies in een halfgeleiderlaadsluiskamerontwerp. Door snelle ontluchting-naar-vacuümdrukcycli werd de resterende bewerkingsspanning opgeheven, waardoor de flens van de hoofdafdichtingsdeur met 0,03 mm kromgetrokken werd.

 

· Technische actie:We hebben een spanningsverlichtingsproces in twee- fasen ingesteld: ruw frezen → thermisch gloeien → semi-nabewerken → secundaire thermische stabilisatie → 5--assig nafrezen met gereedschap-pad-micro-compensatie. Laadsluisdeuren na modificatie vertoonden kromtrekking van minder dan of gelijk aan 0,01 mm na 10.000 drukcycli.

Custom Stainless Steel Vacuum Chamber

 

Technische differentiatoren voor ultra-hoogvacuümfabricage

Gestandaardiseerde metallurgische en testworkflows die halfgeleiderkamers -kwaliteit scheiden van commerciële machinewerkplaatsen.

 

1. Gegradeerde vacuümafdichting en 100% heliumlekvalidatie:

· Hoogvacuüm (HV) standaard:Heliumleksnelheid Minder dan of gelijk aan 1×10^-10 Pa·m³/s. Geoptimaliseerd voor PVD-systemen, laadsluizen en overdrachtsmodules.

· Ultra-Hoogvacuüm (UHV) standaard:Heliumleksnelheid Minder dan of gelijk aan 1×10^-12 Pa·m³/s. Geformuleerd voor plasma-ets- en oppervlakteanalysesystemen.

 

2. Protocol voor controle op uitgassing van UHV-materiaal:

· Traceerbaarheid van materiaalpartijen met selectie van legeringen met lage dampdruk (SS316L, Al6061-T6).

· Hoge-vacuüm thermische ontgasverwerking verwijdert geabsorbeerde waterstof uit interne metaalroosters.

· Elektrolytisch polijsten vermindert de micro-porositeit en het absorptieoppervlak van het oppervlak.

 

3. Stabilisatie van cyclische belastingsspanning:

· Thermisch uitgloeien in twee- fasen elimineert resterende bewerkingsspanningen.

· Gereedschapspadcompensatie voorkomt structurele doorbuiging onder atmosferische drukbelastingen.

Plasma Etching Chamber Semiconductor Equipment

 

Prestatievergelijking: Monoblok 5-assig frezen versus gelaste assemblages

Kwantitatieve evaluatie van vacuümintegriteit, precisie en bedrijfskosten op de lange- termijn.

 

Evaluatiestatistiek

Monoblok 5-assig CNC-frezen

Gelaste plaatwerkconstructie

Structurele en procesimpact

Risico op vacuümlekken

Geen interne lasnaden; massieve knuppelgeometrie

Hoog risico bij laslijnen in -hittezones (HAZ).

Voorkomt vermoeiingsscheuren tijdens continue vacuümcycli

Flens vlakheid

Vlakheid Minder dan of gelijk aan 0,02 mm/m; boringen tot ±0,005 mm

Thermische vervorming vervormt de vlakheid voorbij 0,10 mm

Zorgt voor een nauwkeurige uitlijning van de robotarm voor waferoverdracht

Uitgassingspercentage

Laag oppervlak; elektrolytisch gepolijst Ra Kleiner dan of gelijk aan 0,2 µm

Hoge ontgassing door ruwe lasnaden en fluxinsluitsels

Versnelt de kamerpomp-tot het ultieme vacuümniveau

Interne kanalen

Monolithische vloeistofkanalen en complexe poorten

Externe gelaste vloeistofleidingen en gelaste spruitstukken

Voorkomt interne koelvloeistoflekpaden binnen vacuümgrenzen

Doorlooptijd van prototypen

Direct CAD-naar-CNC-frezen zonder hard gereedschap

Vereist lasarmaturen, persgereedschap en uitlijnmallen

Vermindert de technische iteratietijdlijnen voor nieuwe tools

Voor toepassingen die een geoptimaliseerd thermisch beheer of bescherming tegen corrosie vereisen, zijn onze post-mogelijkheden inclusief certificeringanodiseren en elektrolytisch polijsten met harde coatingopties die overeenkomen met de normen van gereedschapmakers.

Ion Implantation Vacuum Chamber

 

Tabel met technische specificaties

Strenge toleranties, oppervlakteafwerkingen en inspectienormen voor vacuümkamers.

 

Parametercategorie

Hoogvacuüm (HV) standaard

Ultra-Hoogvacuüm (UHV) standaard

Materiaalopties

SS304, Al6061-T6, Al7075-T6

SS316L (laag koolstofgehalte), titaniumkwaliteit 2

Maximale grootte envelop

1800 mm× 1500 mm× 800 mm

Bolvormige/cilindrische envelop van 1200 mm

Flens vlakheid

Minder dan of gelijk aan 0,02 mm/m

Minder dan of gelijk aan 0,01 mm/m

Bewerkingstoleranties

±0,010 mm

±0,005 mm

Oppervlakteafwerking (intern)

Ra 0,8 µm (zoals-gefreesd / geparelstraald)

Ra 0,2 µm (elektrolytisch gepolijst)

Heliumlekpercentage

Minder dan of gelijk aan 1×10^-10 Pa·m³/s

Minder dan of gelijk aan 1×10^-12 Pa·m³/s

Basiswerkdruk

Tot 10^-7 Pa

Tot 10^-9 Pa

Bewerkingsapparatuur

5-Simultaan frezen met 5 assen, draaifrezen

5-assig portaalfrezen, malslijpen

Kwaliteitsdocumentatie

CMM-inspectierapport, materiaalcertificaat (EN 10204 3.1)

Logboeken van heliumlekdetectoren, gegevens over ontgassing

Spherical UHV Chamber with CF Flanges

 

Kwaliteitsborging- en inspectienormen

Verificatieprotocollen die directe integratie in halfgeleiderproductielijnen garanderen.

 

Onze productieactiviteiten vallen onder een ISO 9001:2015 gecertificeerd kwaliteitsmanagementsysteem. Inspectieprotocollen bestrijken elke fase van de kamerfabricage:

 

· Materiaalinspectie:Inkomende materiaalpartijen ondergaan chemische verificatie via optische emissiespectroscopie (OES). Ultrasone controles verifiëren of er geen interne holtevorming is in dikke extrusies.

 

· Eerste artikelinspectie (FAI):FAI-dimensierapporten worden gegenereerd met behulp van Zeiss CMM-apparatuur voordat volledige batchproductieruns worden vrijgegeven.

 

· Precisiecontroles tijdens-processen:Kritische afdichtingsafmetingen, O-ringgroefgeometrie en ConFlat (CF) mes-randprofielen worden geverifieerd tijdens freesbewerkingen.

 

· 100% heliumlektest:Elke doosvormige hoogvacuümkamer ondergaat lekverificatie met behulp van Pfeiffer Helium Massaspectrometer-lekdetectoren die in vacuümmodus werken.

 

· Cleanroomverpakking:Onderdelen worden ultrasoon gereinigd met gedeïoniseerd water, vacuüm-ontgassing, dubbele polyethyleen zakken in een cleanroom en beschermende kratten.

Aluminum Semiconductor Vacuum Chamber Manufacturer

 

Selectiematrix voor materiaal en geometrie

Het afstemmen van materiaaleigenschappen en structurele vormen op procesgasomgevingen en vacuümbereiken.

 

· Roestvrij staal 304 / 316L:Selected for operating bakeout temperatures >200 graden, reactieve proceschemie en ultieme vacuümvereisten onder 10^-7 Pa. SS316L is gespecificeerd voor chloor- en fluorplasma-etsprocessen.

 

· Aluminium 6061-T6:Toegepast waar thermische dissipatie, lager gewicht voor robotachtige waferhandlers en snelle afpompcycli- vereist zijn. Passivering van het oppervlak van aluminiumoxide zorgt voor een effectieve barrière tegen ontgassing.

 

· Doos/rechthoekige behuizingen:Levert maximaal intern substraatlaadvolume. Aanbevolen voor vacuümkamerconstructies van pvd-depositiesystemen en geautomatiseerde overdrachtsmodules.

 

· Bolvormige/cilindrische behuizingen:Verdeelt structurele drukspanningen gelijkmatig onder volledige atmosferische differentiële belastingen. Ideaal voor bolvormige UHV-kamers met CF-flenzen die worden gebruikt in wetenschappelijke en oppervlakteanalysegebieden.

 

Doeltoepassingsindustrieën

Het bedienen van wereldwijde OEM's van halfgeleiders, bouwers van coatingapparatuur en wetenschappelijke onderzoekslaboratoria.

Semiconductor Wafer Processing

Verwerking van halfgeleiderwafels

Productie van halfgeleiderapparatuur voor plasma-etskamers, CVD-behuizingen en ionenbundelmodules.

PVD Thin-Film Deposition

PVD dunne-filmafzetting

Monolithische kamerlichamen met geïntegreerde doelflenzen en interne koeling voor sputtersystemen.

UHV Research Laboratories

UHV-onderzoekslaboratoria

Op maat gemaakte UHV-kamers gebouwd voor synchrotronlichtbronnen, oppervlaktefysica en deeltjesversnellingssystemen.

Tool Maintenance & Refurbishment

Gereedschapsonderhoud en -renovatie

Opnieuw-bewerken en exact-passend vervangen vanprecisie CNC-vacuümkamercomponentenvoor oudere wafelfabrieklijnen.

Ontvang een offerte voor een halfgeleidervacuümkamer

Veelgestelde vragen

 

 

Box Shaped High Vacuum Chamber

01.Hoe maak je tijdens het testen onderscheid tussen een echt vacuümlek en materiaalontgassing?

Om virtuele lekken te onderscheiden van echte lekken zijn drukstijgingstesten en restgasanalyse (RGA) vereist. Uitgassing (meestal waterdamp) zorgt ervoor dat de pompcurves -afvlakken bij middendrukken, maar dat de drukstijging na verloop van tijd afneemt als deze geïsoleerd is. Een echt atmosferisch lek vertoont een continue, lineaire drukstijging. We lossen de ontgassing op door middel van vacuümgloeien en elektrolytisch polijsten, en bevestigen de werkelijke nul-lekstatus via heliummassaspectrometrie.

02.Waarom kiezen voor aluminium 6061-T6 in plaats van roestvrij staal voor halfgeleidervacuümkamers?

Zoals benadrukt in technische discussies, biedt aluminium een ​​drie keer lagere dichtheid, superieure thermische geleidbaarheid en een sneller uitwarmherstel dan roestvrij staal. Aluminium vormt op natuurlijke wijze een aluminiumoxidebarrière aan het oppervlak die een extreem lage waterstofpermeatie vertoont, waardoor de ontgassing in hoogvacuümregimes wordt verminderd, terwijl het gereedschapsgewicht en de bewerkingskosten worden verlaagd.

03.Hoe voorkom je schade en bramen aan ConFlat (CF) mes-randflenzen tijdens 5-assige bewerking?

CF-mes-randafdichtingslippen vereisen exact 90 graden scherpe profielen zonder klappersporen om netjes in zuurstof-vrije koperen pakkingen te kunnen bijten. We maken gebruik van speciale gereedschappen voor profielsnijders, ultra-fijne nabewerkingsvoedingen en spiegelfreesgangen. Elke mesrand ondergaat een 100% optische vergrotingsinspectie om de afwezigheid van micro-bramen of het omrollen van de rand te verifiëren.

04.Waarom kan een vacuümkamer de statische CMM-inspectie doorstaan, maar de heliumlektest niet doorstaan?

Statische coördinatenmeetmachines (CMM) meten de macro-geometrie, maar kunnen geen micro-porositeit detecteren, de continuïteit-markering over afdichtingsvlakken of sub-micron oppervlaktegeratel niet detecteren. Heliumatomen dringen micro-groeven binnen die langs CMM-tastsondes glippen. We combineren spiegelfrezen met 100% helium-massaspectrometertesten onder volledige vacuümevacuatie.

05.Wat voorkomt dat de flenzen van de laadsluiskamer kromtrekken tijdens frequente drukwisselingen?

Ventilatie-naar-vacuümdrukcycli zorgen voor cyclische mechanische vermoeidheid en ontlasten restspanningen die overblijven na agressief zwaar frezen. We elimineren dit risico door meer-traps spanningsontlastend gloeien te implementeren tussen ruw frezen, semi{4}}nabewerken en laatste 5--assige precisieafwerkingsgangen, waardoor geometrische stabiliteit op lange termijn onder atmosferische differentiële belastingen wordt gegarandeerd.

06. Hoe beïnvloedt de interne oppervlakteruwheid (Ra) de vacuümbasisdruk?

Ruwe oppervlakken bevatten microscopisch kleine pieken en dalen die vocht uit de atmosfeer en procesgassen vasthouden, waardoor het uitgasoppervlak dramatisch toeneemt. Het elektrolytisch polijsten van de interne kamerwanden van Ra 0,8 µm tot Ra 0,2 µm vermindert het effectieve micro-oppervlak met wel 80%, waardoor de uitvaltijd van de kamerpomp- wordt versneld om de ultieme UHV-druk te bereiken.

Vraag een DFM-evaluatie aan voor uw halfgeleiderkamerontwerp

Dien uw 2D-technische tekeningen en 3D CAD-bestanden (STEP, IGES, X_T) in voor een technische beoordeling.

Ons technische team levert binnen 24 uur gedetailleerde Design for Manufacturability (DFM)-feedback en formele commerciële offertes.

Direct technisch e-mailadres: Erica@dazaocn.com

 

Neem contact met ons op

 

Request a DFM Evaluation for Your Semiconductor Chamber Design

Populaire tags: 5-assige CNC-bewerking van halfgeleidervacuümkamer, vervaardiging van ultrahoge vacuümkamers, ontwerp van de halfgeleiderlaadsluiskamer, doosvormige hoogvacuümkamer, bolvormige uhv-kamer met cf-flenzen

Aanvraag sturen